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GALIUM NITRIDE (GAN) -Technologieübersicht

Seit über drei Jahrzehnten zeigten die Effizienz und die Kosten für die Energieverwaltung eine stetige Verbesserung, da die Innovationen in den MOSFET -Strukturen, -technologie und -kreislauf der Stromversorgung den wachsenden Bedürfnis nach elektrischer Leistung in unserem täglichen Leben durchmachte. Im neuen Jahrtausend verlangsamte sich die Verbesserungsrate jedoch, als sich die Siliziumleistung mosfet asymptotisch ihren theoretischen Grenzen näherte.
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Lang: ENG
Typ: Whitepaper Länge: 6 Seiten

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