Egan® FET Small Signal RF Leistung
Obwohl der Egan-FET als Leistungsschaltgerät entworfen und optimiert wurde, weist er auch gute HF-Eigenschaften auf. Der kleinste 200 -V -FET, EPC2012, wurde für die RF -Bewertung ausgewählt und sollte als Ausgangspunkt angesehen werden, aus dem die HF -Eigenschaften der zukünftigen Egan -FET -Teilenzahlen für eine noch bessere HF -Leistung bei höheren Frequenzen optimiert werden können.
Dieses Papier konzentriert sich auf die HF -Charakterisierung im Frequenzbereich von 200 MHz bis 2,5 GHz.
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