Auswählen von Egan® FET optimaler On-Resistenz
Zuvor veröffentlichte Artikel zeigten, dass sich Egan -FETs größtenteils genau wie Siliziumgeräte verhalten und mit ähnlichen Leistungsmetriken bewertet werden können.
In diesem Whitepaper wird der Optimierungsprozess für die Größengröße zur Auswahl des Egan FET-optimalen On-Resistenz-Voraussatzes diskutiert, und eine Beispielanwendung wird verwendet, um spezifische Ergebnisse anzuzeigen. Da „Optimum“ unterschiedliche Dinge für verschiedene Personen bedeutet, zielt dieser Prozess darauf ab, die Effizienz der Schaltvorrichtung bei einem bestimmten Lastzustand zu maximieren.
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