Auswählen von Egan® FET optimaler On-Resistenz
Zuvor veröffentlichte Artikel zeigten, dass sich Egan -FETs größtenteils genau wie Siliziumgeräte verhalten und mit ähnlichen Leistungsmetriken bewertet werden können.
In diesem Whitepaper wird der Optimierungsprozess für die Größengröße zur Auswahl des Egan FET-optimalen On-Resistenz-Voraussatzes diskutiert, und eine Beispielanwendung wird verwendet, um spezifische Ergebnisse anzuzeigen. Da „Optimum“ unterschiedliche Dinge für verschiedene Personen bedeutet, zielt dieser Prozess darauf ab, die Effizienz der Schaltvorrichtung bei einem bestimmten Lastzustand zu maximieren.
Download, um mehr zu erfahren.
Weiterlesen
Mit dem Absenden dieses Formulars stimmen Sie zu Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Kontaktaufnahme mit Ihnen marketingbezogene E-Mails oder per Telefon. Sie können sich jederzeit abmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Webseiten u Mitteilungen unterliegen ihrer Datenschutzerklärung.
Indem Sie diese Ressource anfordern, stimmen Sie unseren Nutzungsbedingungen zu. Alle Daten sind geschützt durch unsere Datenschutzerklärung. Bei weiteren Fragen bitte mailen dataprotection@techpublishhub.com
Related Categories: Komponenten, Leistung
Weitere Ressourcen von Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Verbessern Sie die Effizienz des DC-DC-Flybac...
DC-DC-Konverter-Designer können bei niedrigen Stromdichten mit Niedrigstromdichten und dem Verbesserungsmodus Gallium-Nitrid-Transistoren mit Flyb...
Egan® FET -Treiber und Layout -Überlegungen...
Bei der Betrachtung der Anforderungen an die Gate -Antrieb sind die drei wichtigsten Parameter für Egan -FETs (1) die maximal zulässige Gate -Spa...
Auswirkungen der Parasitik auf die Leistung
Mit der Verbesserung der Schaltzahlen von Verdiensten, die von Egan FETs bereitgestellt werden, sind die Parasitik der Verpackung und der PCB -Layo...
