Tote Zeitoptimierung für maximale Effizienz
In diesem Whitepaper setzt EPC die Erforschung von Optimierungsproblemen fort und untersucht die Auswirkungen der Totenzeit auf die Systemeffizienz von Egan®-FETs und MOSFETs.
Zuvor veröffentlichte Artikel zeigten, dass sich Egan -FETs ähnlich wie Siliziumgeräte verhalten und mit denselben Leistungsmetriken bewertet werden können. Obwohl Egan-FETs bei den meisten Metriken signifikant besser abschneiden, ist die Egan FET „Body-Diode“ -Striebsspannung höher als sein MOSFET-Gegenstück und kann während der Totzeit eine signifikante Verlustkomponente sein.
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