Egan® FET -Treiber und Layout -Überlegungen
Bei der Betrachtung der Anforderungen an die Gate -Antrieb sind die drei wichtigsten Parameter für Egan -FETs (1) die maximal zulässige Gate -Spannung, (2) die Gate -Schwellenspannung und (3) den Spannungsabfall „Körperdioden“.
Egan -FETs unterscheiden sich aufgrund ihrer deutlich schnelleren Schaltgeschwindigkeiten von ihren Silizium -Gegenstücken und haben folglich unterschiedliche Anforderungen für Gate -Laufwerk, Layout und thermisches Management, die alle interaktiv sein können.
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