Neue Designkonzepte in Ultra niedrigen Spannungs- und Nanopower -Schaltungen mit EPAD -MOSFET -Arrays
Diese Einführung in EPAD MOSFET beschreibt eine umfassende Auswahl von Geräten mit genau festgelegten Gate -Schwellenspannungswerten, einschließlich Null -Schwellenwert, Verbesserungsmodus und Depletionsmodus. Darüber hinaus werden neuartige Schaltungsdesigns vorgestellt, um zu veranschaulichen, wie diese Geräte auf praktischer Ebene verwendet werden können. Die vorgestellten kurzen Schaltungsbeschreibungen sollen neue Wege im Nachdenken über das Schaltungsdesign und die Implementierung dieser neuen Geräte anregen, um Ergebnisse zu erzielen, die entweder unerreichbar oder höchst unwahrscheinlich waren.
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