Tote Zeitoptimierung für maximale Effizienz
In diesem Whitepaper setzt EPC die Erforschung von Optimierungsproblemen fort und untersucht die Auswirkungen der Totenzeit auf die Systemeffizienz von Egan®-FETs und MOSFETs.
Zuvor veröffentlichte Artikel zeigten, dass sich Egan -FETs ähnlich wie Siliziumgeräte verhalten und mit denselben Leistungsmetriken bewertet werden können. Obwohl Egan-FETs bei den meisten Metriken signifikant besser abschneiden, ist die Egan FET „Body-Diode“ -Striebsspannung höher als sein MOSFET-Gegenstück und kann während der Totzeit eine signifikante Verlustkomponente sein.
Laden Sie diesen Whitepaper herunter, um mehr zu erfahren.
Weiterlesen
Mit dem Absenden dieses Formulars stimmen Sie zu Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Kontaktaufnahme mit Ihnen marketingbezogene E-Mails oder per Telefon. Sie können sich jederzeit abmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Webseiten u Mitteilungen unterliegen ihrer Datenschutzerklärung.
Indem Sie diese Ressource anfordern, stimmen Sie unseren Nutzungsbedingungen zu. Alle Daten sind geschützt durch unsere Datenschutzerklärung. Bei weiteren Fragen bitte mailen dataprotection@techpublishhub.com
Related Categories: Halbleiter, Leistung
Weitere Ressourcen von Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET Elektrische Eigenschaften
In diesem Artikel werden die grundlegenden elektrischen Eigenschaften von Egan -FETs erklärt und mit Silizium -MOSFETs verglichen. Ein gutes Verst...
Egan® FET Small Signal RF Leistung
Obwohl der Egan-FET als Leistungsschaltgerät entworfen und optimiert wurde, weist er auch gute HF-Eigenschaften auf. Der kleinste 200 -V -FET, EPC...
Auswählen von Egan® FET optimaler On-Resist...
Zuvor veröffentlichte Artikel zeigten, dass sich Egan -FETs größtenteils genau wie Siliziumgeräte verhalten und mit ähnlichen Leistungsmetrike...
